2026-10-19T01:06:16Zhttps://ebyu-rdlopen.rawdatalibrary.net/oai/requestoai:ebyu-rdlopen.rawdatalibrary.net:ebyu/186342026-10-18T20:56:40Zopenairedrivercom_ebyu_10000col_ebyu_10001Grafen oksitin modifiye Hummers yöntemi ile sentezi ve film olarak Al/GO/nInP diyot performansına etkileriÇATIR, Fulya Esra CİMİLLİNanobilim ve NanoteknolojiMalzeme BilimleriÖzellik ve TestMühendislikKimyaGrafen oksit (GO) modifiye Hummers yöntemi ile sentezlendi. Metal-yarıiletken arayüzeyine spray pyrolysis yöntemiylebüyütülen grafen oksit filmin Al/GO/n-InP Schottky diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırıldı. GO filmlerin yapısalözellikleri X-Işını kırınımı ölçümleri (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) ölçümleri ile belirlendi. GO filminabsorbans ve transmittans spektrumları alınarak optik özellikleri araştırıldı. Al/GO/n-InP diyotunun oda sıcaklığındaki IV karakteristiklerinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca, karanlık ve 100 mW/cm2ışık şiddetialtında yapılan I-V ölçümleri doğrultusunda diyotun oldukça iyi fotovoltaik özelliklere sahip olduğu belirlendi. Al/GO/nInP Schottky diyotunun idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb0), seri direnç (Rs) ve şönt direnci Rsh gibi karakteristikparametreleri hesaplanarak arayüzey tabakasız referans Al/n-InP diyotu ile karşılaştırıldı. Al/GO/n-InP Schottky diyotyapısının çeşitli elektronik ve optoelektronik devre uygulamaları için uygun bir malzeme olduğu görüldü.2021Articlehttps://rdlopen.rawdatalibrary.net/r/ebyu/18634https://doi.org/10.17714/gumusfenbil.770061trGümüşhane Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisiinfo:eu-repo/semantics/openAccessinfo:eu-repo/semantics/articlehttps://ebyu-rdlopen.rawdatalibrary.net/tr/items/ebyu/18634