2026-10-18T23:16:25Zhttps://ebyu-rdlopen.rawdatalibrary.net/oai/request

oai:ebyu-rdlopen.rawdatalibrary.net:ebyu/200292026-10-18T21:11:58Zopenairedrivercom_ebyu_10000col_ebyu_10001

MOSFET Tabanlı Kayıplı Endüktans BenzetimiYesil, AbdullahBABACAN, YunusMühendislikElektrik ve ElektronikBu çalışmada sadece MOSFET’lerden oluşan endüktans benzetimi devresi sunulmuştur. Ana yapı olarak sadece iki transistordan ve bir topraklı kapasiteden meydana gelmiştir. Kutuplanması yapılmış tüm yapı ise sadece beş transistordan oluşmaktadır. Devrede harici kapasite yerine MOS- kapasite kullanılmıştır. Devrenin endüktans değeri elektronik olarak ayarlanmaktadır. Devrenin serimi Cadence programı yardımıyla çizilmiş ve serim sonrası benzetimler makaleye eklenmiştir. Ayrıca sunulan endüktans benzetiminin performansını belirtmek amacıyla ikinci dereceden gerilim-modlu band-geçiren filtre devresi kurulmuştur. Benzetim sonuçları teorik sonuçlar ile uyum içinde olduğu görülmektedir.2019Articlehttps://rdlopen.rawdatalibrary.net/r/ebyu/20029https://doi.org/10.21597/jist.4284122146-0574trIğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisiinfo:eu-repo/semantics/openAccessinfo:eu-repo/semantics/articlehttps://ebyu-rdlopen.rawdatalibrary.net/tr/items/ebyu/20029