MOSFET Tabanlı Kayıplı Endüktans Benzetimi
ArticleYayıncıda açık erişim
Özet
Bu çalışmada sadece MOSFET’lerden oluşan endüktans benzetimi devresi sunulmuştur. Ana yapı olarak sadece iki transistordan ve bir topraklı kapasiteden meydana gelmiştir. Kutuplanması yapılmış tüm yapı ise sadece beş transistordan oluşmaktadır. Devrede harici kapasite yerine MOS- kapasite kullanılmıştır. Devrenin endüktans değeri elektronik olarak ayarlanmaktadır. Devrenin serimi Cadence programı yardımıyla çizilmiş ve serim sonrası benzetimler makaleye eklenmiştir. Ayrıca sunulan endüktans benzetiminin performansını belirtmek amacıyla ikinci dereceden gerilim-modlu band-geçiren filtre devresi kurulmuştur. Benzetim sonuçları teorik sonuçlar ile uyum içinde olduğu görülmektedir.
Anahtar Kelimeler
RDL Kalıcı Bağlantı (PID)
https://rdlopen.rawdatalibrary.net/r/ebyu/22449Resmi atıflarda kullanılan kalıcı adresTam Kayıt
| Alan | Değer | Dil |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Yesil, Abdullah | |
| dc.contributor.author | Babacan, Yunus | |
| dc.date.accessioned | 2026-10-20T11:09:38.930798211Z | |
| dc.date.available | 2026-10-20T11:09:38.930798211Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description.abstract | Bu çalışmada sadece MOSFET’lerden oluşan endüktans benzetimi devresi sunulmuştur. Ana yapı olarak sadece iki transistordan ve bir topraklı kapasiteden meydana gelmiştir. Kutuplanması yapılmış tüm yapı ise sadece beş transistordan oluşmaktadır. Devrede harici kapasite yerine MOS- kapasite kullanılmıştır. Devrenin endüktans değeri elektronik olarak ayarlanmaktadır. Devrenin serimi Cadence programı yardımıyla çizilmiş ve serim sonrası benzetimler makaleye eklenmiştir. Ayrıca sunulan endüktans benzetiminin performansını belirtmek amacıyla ikinci dereceden gerilim-modlu band-geçiren filtre devresi kurulmuştur. Benzetim sonuçları teorik sonuçlar ile uyum içinde olduğu görülmektedir. | |
| dc.identifier.doi | 10.21597/jist.428412 | |
| dc.identifier.eissn | 2536-4618 | |
| dc.identifier.endpage | 38 | |
| dc.identifier.issn | 2146-0574 | |
| dc.identifier.issue | 1 | |
| dc.identifier.startpage | 30 | |
| dc.identifier.uri | https://rdlopen.rawdatalibrary.net/r/ebyu/22449 | |
| dc.identifier.volume | 9 | |
| dc.language.iso | tr | |
| dc.relation.ispartof | Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/closedAccess | |
| dc.subject | Mühendislik, Elektrik ve Elektronik | |
| dc.title | MOSFET Tabanlı Kayıplı Endüktans Benzetimi | |
| dc.type | Article | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| rdl.citation.trdizin | 0 | |
| rdl.oa.status | bronze | |
| rdl.oa.url | https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/651520 | |
| rdl.source.index | TRDIZIN |