Cu/n-InP/In Schottky Diyotların Sıcaklığa Bağlı Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Ölçümlerinden Elde Edilen Karakteristik Parametrelerinin İncelenmesi

Schottky engel diyotları n-tipi InP (100) yarıiletkeni kullanılarak elde edildi. Ohmik kontaklar In metalibuharlaştırıldıktan sonra 320$oC$’de ve $N2$ ortamında tavlanarak yapıldı. Schottky kontakları 0,5 mm çapında veyarıiletkenin ön yüzünde imal edildi. I–V karakteristikleri 20K ve 300K sıcaklık aralığında sıcaklığın birfonksiyonu olarak ölçüldü. Deneysel I–V karakteristiklerinin Cu/n-tipi Inp Schottky diyotları için gelenekselTermiyonik Emisyon (TE) teorisi ile uyum içerisinde olduğu gözlemlendi. Cu/n-tipi InP Schottky diyotlarınınkapasite-gerilim (C-V) ölçümleri 300-10 K sıcaklık aralığında ve 10K adımlarla 1 MHz frekansta alındı.Numune sıcaklığına bağlı olarak diyotlarımızın elektriksel karakterizasyonunda değişikliklerin olduğu tespitedildi. Cu/n-InP/In Schottky kontakların sıcaklığa bağlı engel karakteristiklerinin “engel inhomojenliğimodeline” uyduğu belirlendi. 20-150 K ve 150-300 K sıcaklık aralığında Schottky diyotlara iki farklı ortalamaengel yüksekliğinin eşlik etmesi engel yüksekliğinin çift Gaussian modeli ile uyum içerisindedir. Ayrıcasıcaklığa bağlı I-V ve C-V karakteristiklerinden seri direnç, taşıyıcı konsantrasyonu, difüzyon potansiyeli veFermi enerjisi gibi parametreleri de hesaplandı.