Alt birimler

• Mekatronik Pr.

Araştırmacılar(1)

• Öztürk, Alpay

• ArticleAçık Erişim2021/r/ebyu/20868
  Grafen oksitin modifiye Hummers yöntemi ile sentezi ve film olarak Al/GO/nInP diyot performansına etkileri

  Cimilli Çatır, Fulya Esra

  Grafen oksit (GO) modifiye Hummers yöntemi ile sentezlendi. Metal-yarıiletken arayüzeyine spray pyrolysis yöntemiylebüyütülen grafen oksit filmin Al/GO/n-InP Schottky diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırıldı. GO filmlerin yapısalözellikleri X-Işını kırınımı ölçümleri (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) ölçümleri ile belirlendi. GO filminabsorbans ve transmittans spektrumları alınarak optik özellikleri araştırıldı. Al/GO/n-InP diyotunun oda sıcaklığındaki IV karakteristiklerinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca, karanlık ve 100 mW/cm2ışık şiddetialtında yapılan I-V ölçümleri doğrultusunda diyotun oldukça iyi fotovoltaik özelliklere sahip olduğu belirlendi. Al/GO/nInP Schottky diyotunun idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb0), seri direnç (Rs) ve şönt direnci Rsh gibi karakteristikparametreleri hesaplanarak arayüzey tabakasız referans Al/n-InP diyotu ile karşılaştırıldı. Al/GO/n-InP Schottky diyotyapısının çeşitli elektronik ve optoelektronik devre uygulamaları için uygun bir malzeme olduğu görüldü.

  İncele
• ArticleAçık Erişim2018/r/ebyu/22517
  Cu/n-InP/In Schottky Diyotların Sıcaklığa Bağlı Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Ölçümlerinden Elde Edilen Karakteristik Parametrelerinin İncelenmesi

  Cimilli Çatır, Fulya Esra

  Schottky engel diyotları n-tipi InP (100) yarıiletkeni kullanılarak elde edildi. Ohmik kontaklar In metalibuharlaştırıldıktan sonra 320$oC$’de ve $N2$ ortamında tavlanarak yapıldı. Schottky kontakları 0,5 mm çapında veyarıiletkenin ön yüzünde imal edildi. I–V karakteristikleri 20K ve 300K sıcaklık aralığında sıcaklığın birfonksiyonu olarak ölçüldü. Deneysel I–V karakteristiklerinin Cu/n-tipi Inp Schottky diyotları için gelenekselTermiyonik Emisyon (TE) teorisi ile uyum içerisinde olduğu gözlemlendi. Cu/n-tipi InP Schottky diyotlarınınkapasite-gerilim (C-V) ölçümleri 300-10 K sıcaklık aralığında ve 10K adımlarla 1 MHz frekansta alındı.Numune sıcaklığına bağlı olarak diyotlarımızın elektriksel karakterizasyonunda değişikliklerin olduğu tespitedildi. Cu/n-InP/In Schottky kontakların sıcaklığa bağlı engel karakteristiklerinin “engel inhomojenliğimodeline” uyduğu belirlendi. 20-150 K ve 150-300 K sıcaklık aralığında Schottky diyotlara iki farklı ortalamaengel yüksekliğinin eşlik etmesi engel yüksekliğinin çift Gaussian modeli ile uyum içerisindedir. Ayrıcasıcaklığa bağlı I-V ve C-V karakteristiklerinden seri direnç, taşıyıcı konsantrasyonu, difüzyon potansiyeli veFermi enerjisi gibi parametreleri de hesaplandı.

  İncele