Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları

Araştırmacılar(1)

Birim yayınları

5 →
  • ArticleYalnız künye2021
    The Dependence of The Nickel Concentration of ZnO Thin Films for Gas Sensors Applications

    Acar, Selim; Karaduman Er, Irmak; Yildirim, Memet Ali; Soltabayev, Baktiyar; Ateş, Aytunç

    Undoped ZnO and Ni-doped ZnO thin films were synthesized on glass substrate using theSILAR method. The aim of this work is the analysis of NO gases using Zn1-xNixO sensorsconcentrations in the range from 100 ppb to 25 ppm. The gas sensing properties of the films forlow NO gas concentrations were carefully investigated within a temperature range from 35 to135ºC. The gas measurement results revealed that the doping process was strongly affected bythe response of Ni-doped ZnO thin films. The Zn0.75Ni0.25O sensor exhibited higher sensitivity,faster response, and recovery times for NO gas at low (100 ppb) concentration. It was concludedthat the Ni dopant enhanced the properties of ZnO films for gas sensor applications by changingthe microstructure, morphology, and bandgap of ZnO material.

  • ArticleAçık Erişim2021
    1933 üniversite reformu sonrası türkiye’ye iltica eden alman bilim insanlarının türk eğitim sistemine katkıları

    Yildirim, Mehmet Ali; Yavuz, Erdem

    Bu araştırmada 1933 yılında gerçekleştirilen üniversite reformu ile Türkiye’ye gelen Alman bilim insanlarının Türk yükseköğretim hayatına ve bilimsel araştırma literatürüne sundukları katkıları incelenmektedir. Araştırmada öncelikle Türk eğitim tarihi içinde üniversitenin gelişim seyrine ilişkin panoramik bir aktarım da sunulmuştur. Hem üniversite reformu öncesi hem de üniversite reformu ilebirlikte başta Almanlar ve Avusturyalılar olmak üzere Türkiye’de yükseköğretime onlarca yabancı bilim insanının ve yardımcı personelin katıldığı görülmektedir. Ülkemize gelen bu öğretim üyeleri ve yardımcıları Türkiye’de pozitif bilimlerin çeşitli dallarında yaptıkları çalışmalar, olumlu katkıları olmuştur. Bu öğretim üyeleri çok sayıda enstitü kurarak araştırmalarını bir merkez altında yürütmeleri bunların başında gelmektedir. Bu öğretim üyelerinin bilimsel yayıncılık için dergiler kurmaları ve bu dergileri yönetmeleri, alanında ün salacak pek çok Türk bilim insanı yetiştirmeleri ve onlarca ders kitabı ile materyal bırakmaları ve kütüphane kurmaları da son derece önemli katkılar arasındadır. Yabancı öğretim üyelerinin yaptıkları bu katkılar Türk yükseköğretiminin şekillenmesi ve büyümesinde önemli bir itici gücü oluşturmuştur. Daha sonra da sayıları çoğalacak olan Türk üniversitelerinde görev alan pek çok akademisyenin ve araştırmacının yetiştirilmesinde bu yabancı öğretim üyelerinin oldukça önemli katkıları bulunmaktadır. Ayrıca yurt dışına yükseköğrenim görmek üzere ya da yabancı dil öğrenmek, farklı araştırma disiplinleri edinmek için giden Türk araştırmacı ve bilim insanlarına aracılık eden ve Türkiye’den kendi ülkelerine döndükten sonra bu kişilere ev sahipliği yapan da bu profesörler olmuştur. Dolayısıyla kütüphane koleksiyonlarının bir üniversiteye yakışır hale gelmesi, bilimsel yayınların ve aktivitelerin çoğalması, bilimsel çalışmalardan halkın haberdar edilmesi ve halka yönelik zaman zaman çeşitli etkinliklerin yapılması hem de modern bilimsel kavramların Türkçeye kazandırılması gibi pek çok alanda özellikle Alman profesörlerin katkısı gözlemlenmektedir.

    • SDG 4 · Nitelikli Eğitim
  • Proje2019
    H2S Gazına Duyarlı V2O5 Gaz Sensörünün Fabrikasyonu ve Karakterizasyonu

    Acar, Selim; Tuna Yıldırım, Sümeyra; Yildirim, Mehmet Ali; Ateş, Aytunç

    Bu projede, özellikle maden, petrol ve dogal gaz sektörlerinde kullanılacak gaz sensör sisteminde algılayıcı yüzey olarak görev yapacak V2O5 nanoyapılar, Hidrotermal Sentez Yöntemi ile cam taban malzemeler üzerine büyütüldü. Büyütme parametreleri (büyütme süresi, büyütme sıcaklıgı, çözeltiler, çözelti pH degeri ve asitler) degistirilerek üç faklı tür (SN, SO ve HN-PVP kodlu) olarak büyütülen V2O5 nanoyapıların yapısal, morfolojik, elemental, optik ve H2S gaz algılama özellikleri sırasıyla XRD, SEM, EDAX, UV-VIS spektrofotometre ve gaz ölçüm sistemi ile incelendi. XRD ve SEM çalısmaları nanoyapıların polikristal yapıda oldugunu ve monoklinik V2O5 fazında kristallestigini, taban malzemelerin yüzeyinde nano çubuk, nano tel, nano top, nano plaka yapıları içeren yogun bir kaplamanın oldugunu gösterdi. V2O5 nanoyapıların EDAX analizi, nanoyapıların stokiyometrik olarak büyüdügünü ve nanoyapıların yüzeyinde V, O elementlerinin varlıgını dogruladı. Oda sıcaklıgında yapılan optik sogurma ölçümleri, nanoyapıların yasak enerji aralıgı degerlerinin büyütme süresine ve büyütme sıcaklıgına baglı olarak degistigini gösterdi. Öncelikle V2O5 nanoyapılı sensörler için sabit 50 ppm H2S gazına karsı sıcaklıga baglı olarak statik gaz algılama ölçümleri 30-240 oC (SN kodlu), 35-210 oC (SO kodlu) ve 27-117 oC (HN-PVP kodlu) sıcaklık aralıklarında yapıldı ve sensörlerin çalısma sıcaklıkları sırasıyla 210 oC, 145 oC, 42 oC olarak belirlendi. Her bir sensör için belirlenen çalısma sıcaklıklarında 1-50 ppm arasındaki farklı konsantrasyonlarda H2S gazı için gaz algılama ölçümleri yapıldı. Sensörlerin 1-50 ppm konsantrasyon aralıgındaki H2S gazına karsı yüksek duyarlılık sergiledigi görüldü. Ayrıca, sensörlerin yanıt ve geri dönüs süreleri hesaplandı. Büyütme parametreleri degistirilerek yapılan eniyileme islemleri ve bu ölçümler sonucunda, HN-PVP kodlu V2O5 nanotel network yapılı sensör 50 oC altındaki çalısma sıcaklıgında (42 oC) 10-50 ppm seviyesinde H2S gazını algılama yapabilen eniyilenen sensör olarak belirlendi. Eniyilenen sensör için sekiz farklı nem degerinde H2S gazı için gaz algılama ölçümü yapıldı. Ayrıca, eniyilenen sensör için kontrol grubu gazları için gaz algılama ölçümü yapıldı.

  • ArticleYalnız künye2009
    Structural, optical and electrical properties of CdO/Cd(OH)2 thin films grown by the SILAR method

    Yildirim, M. Ali; Ateş, Aytunç

    Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) was used to form Cd(OH)2 thin films from aqueous cadmium-ammonia complex on glass substrates at room temperature and the thermal annealing effect on thin films was studied. The as-deposited films were annealed at 200, 300 and 400 °C for 1 h in an oxygen atmosphere for conversion from Cd(OH)2 to CdO and change in the structural, optical and electrical properties of the films and the effect of the light on the electrical properties of the films were investigated. The structural and surface morphological properties of the films were studied using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). It was found that Cd(OH)2 phase is converted into the cubic CdO films by annealing. The band gap energy values of films decreased from 3.59 to 2.13 eV through increasing annealing temperature. It was found that the current increased with increasing light intensity and CdO films were more conductive than the as-deposited films.

  • ArticleYalnız künye2007
    Effective mass calculation for InSe, InSe:Er crystals

    Ates, A.; Kundakci, M.; Akaltun, Y.; Gurbulak, B.; Yildirim, M.

    Undoped indium selenide (InSe) and Er doped InSe single crystals were grown by Bridgman-Stockberger method. The InSe crystals both undoped and doped Er had no cracks or voids on the surface. No polishing or cleaning treatments were carried out on the cleaved faces of these samples because of the natural mirror-like cleavage faces. The absorption measurements were carried out in the temperature range 10-320 K and the external electric field effect on the absorption measurements is investigated. The absorption edge shifted towards to the longer wavelengths under an electric field as 6 kV/cm. Using the electric field shifting, effective mass values are calculated. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Tam Kayıt
AlanDeğerDil
dc.date.accessioned2026-10-21T10:22:04.807004627Z
dc.date.available2026-10-21T10:22:04.807004627Z
dc.identifier.urihttps://rdlopen.rawdatalibrary.net/r/ebyu/28193
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.titleElektromanyetik Alanlar ve Mikrodalga Tekniği Anabilim Dalıtr
dspace.entity.typeOrgUnit
organization.identifier.codemmf-elektrik-elektronik-elektromanyetik-alanlar-ve-mikrodalg
organization.unitTypedivision
rdl.unit.alias\belektromanyetik alanlar ve mikrodalga teknigi anabilim dali\b